紫外光刻机可广泛用于MEMS和光电子，例如LED生产。它方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料，包括砷化镓和磷化铟。而且该设备可通过选配升级套件，实现紫外纳米压印光刻。它具有以下亮点：高分辨率掩模对准光刻，特征尺寸优于0.5微米、装配SUSS的单视场显微镜或分视场显微镜，实现快速准确对准、针对厚胶工艺进行优化的高分辨光学系统、可选配通用光学器件，在不同波长间进行快速切换等。
随着电子业的飞速发展,对作为电子元器件基础的印制板的需求量及其加工精度的要求越来越高。紫外线光刻机是印制板制造工艺中的重要设备。传统光刻机的玻璃-迈拉晒架在生产过程中需要人工赶气,迈拉膜需要经常更换。由于冷却系统过于臃肿,使得其生产成本高、效率低,已不能满足PC B 生产的需要。在实验基础上设计了双玻璃晒架光刻机，改进了其主要组成部分,包括晒架系统、光路系统、冷却系统以及电气和控制系统的整体设计。
在计算机的控制下，利用聚焦电子束对有机聚合物（通常称为电子抗蚀剂或光刻胶）进行曝光，受电子束辐照后的光刻胶，其物理化学性质发生变化，在一定的溶剂中形成良溶或非良溶区域，从而在抗蚀剂上形成精细图形。
对光源系统的要求
a.有适当的波长。波长越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高，因为衍射现象会更严重。
b.有足够的能量。能量越大，曝光时间就越短；
c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度 或者叫 不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]
常用的紫外光光源是高压弧光灯（高压汞灯），高压汞灯有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的g 线（436 nm）或i 线（365 nm）。
对于波长更短的深紫外光光源，可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光（248 nm）、ArF 准分子激光（193 nm）和F2准分子激光（157 nm）等。
曝光系统的功能主要有：平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。
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